物联网技术

2013, v.3;No.30(08) 59-63

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基于65nm工艺的SOC物理设计中的关键技术研究
Research on the critical technology of SOC physical design based on 65GP

沈良伟;

摘要(Abstract):

随工艺的演进,集成电路发展已经进入超深亚微米阶段,芯片的成本、性能、功耗、信号完整性等问题将成为制约SOC芯片设计的关键问题。文章基于65GP工艺的实际项目模块级物理设计,在现超深亚微米下,对芯片的低功耗、congestion、信号完整性等后端物理设计等关键问题进行了细致研究,并提出了一些新方法和新思想,从而提高了signoff的交付质量,完成了tapeout要求。

关键词(KeyWords): 65GP;低功耗;拥塞;信号完整性;签核

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 沈良伟;

Email:

DOI: 10.16667/j.issn.2095-1302.2013.08.017

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