物联网技术

2012, v.2;No.15(05) 29-33

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

双轴应变下GaN有效质量的计算及其对迁移率的影响
Electron effective mass of biaxially strained GaN and its effect on the mobility

刘伟;张继华;周卓帆;刘颖;杨传仁;陈宏伟;赵强;

摘要(Abstract):

通过计算双轴应变下氮化镓的电子能带结构,给出了GaN有效质量与应变的变化关系。在弛豫时间近似的条件下,这种关系决定了双轴应变AlGaN/GaN中二维电子气(2DEG)的迁移率的改变。在其他物理参量不变的情况下,这种二维电子气迁移率将随着张应变的增加而增加,并随着压应变的增加而减小。计算结果表明,张应变对2DEG迁移率的影响要比压应变大。此外,GaN有效质量的变化在低温时对迁移率的作用更明显。而在低温低浓度的条件下,迁移率却对有效质量的依赖很小。

关键词(KeyWords): 铝镓氮/氮化镓异质结;有效质量;双轴应变;迁移率;二维电子气

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 刘伟;张继华;周卓帆;刘颖;杨传仁;陈宏伟;赵强;

Email:

DOI: 10.16667/j.issn.2095-1302.2012.05.012

参考文献(References):

文章评论(Comment):

序号(No.) 时间(Time) 反馈人(User) 邮箱(Email) 标题(Title) 内容(Content)
反馈人(User) 邮箱地址(Email)
反馈标题(Title)
反馈内容(Content)
扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享